基于台阶结构的发光二极管

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【发明人】乔丽萍
【申请日期】2017.05.17
【申请号】201720544312.8
【申请人】西藏民族大学
【摘要】本实用新型涉及一种基于台阶结构的发光二极管10，包括：单晶Si衬底11第一Ge层12，设置于单晶Si衬底11表面；Ge基台阶结构13，设置于第一Ge层12表面的中心位置处；正电极14，设置于第一Ge层12的上表面并位于台阶结构13两侧的位置处；负电极15，设置于台阶结构13的上表面；钝化层16，设置于第一Ge层和Ge基台阶结构的上表面以及正电极和Ge基台阶结构的中间，以形成发光二极管10。本实用新型台阶结构的发光二极管，Si衬底上外延Ge层，制备出高质量GeSn层，极大地提高发光二极管的发光效率...
【地址】712082 陕西省咸阳市渭城区文汇东路6号
【文献类型】专利